1.0μm 25/40V HVCMOS是方正微电子标准高压主流工艺平台之一。以较少光刻层数为客户提供经济且稳定的高压工艺。工艺平台提供常规及隔离的5V低压CMOS，25V或40V高压CMOS器件，寄生NPN/Sub PNP三极管，以及多晶高阻和齐纳二极管等可选器件。同时后段0.5um工艺设计规则可以节省芯片面积，为客户提供产品竞争力。工艺平台详尽的设计规则，精确的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。
1) 工艺特性
? 常规低压5V CMOS兼容行业标准
? 15 层光罩，16层光刻层(其中包含高阻和齐纳两个可选层)
? 采用外延工艺
? 后段连线工艺可选1.0um和0.5um
? 双阱，单多晶硅，双栅氧，N+埋层和外延层隔离P阱。
? 可选器件包含：多晶高阻、齐纳二极管、三极管、其他特殊需求。
? 工作电压： Vds和Vds 5-40V
2) 典型应用
? ? AC-DC 交直流转换电路
? ? LED 驱动电路