800V CDMOS工艺平台集成了 LVCMOS、 MV CMOS 和高压DMOS以及多晶高阻和齐纳二极管等器件。特别合适离线式电源（AC/DC）和LED 驱动产品设计.
工艺特性
? 集成了垂直的800V VDMOS器件，BV超过900V
? VLD(横向变掺杂技术)的终端可节省三分之一的芯片面积
? 采用了厚外延片，外延电阻率高
? 双阱，单多晶，单层金属，背面减薄和背金工艺
? 11层光罩，12个光刻层
? 集成了各种低、中、高压器件，包含对称和非对称结构，增强和耗尽型的类型
? 集成了栅氧电容、齐纳二极管、低阻值多晶硅电阻
? 可实现高压和低压器件的隔离
典型应用
? 电源管理
? 显示驱动
? 汽车电子